FESB8CT-E3/81
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | FESB8CT-E3/81 |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $0.7496 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 8 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 150 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB (D²PAK) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 150 V |
Strom - Richt (Io) | 8A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | FESB8 |
FESB8CT-E3/81 Einzelheiten PDF [English] | FESB8CT-E3/81 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
FESB8CT-E3 VISHAY
FESB8CT VISHAY
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
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2024/06/6
2024/04/18
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2023/12/20
![]() FESB8CT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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